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制造商：苏州纳芯微电子股份有限公司

苏州纳芯微电子股份有限公司 (Suzhou NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd.) 是高性能高可靠性模拟芯片的研发设计企业。公司自2013年成立以来，专注于围绕各个应用场景进行产品开发，由传感器信号调理ASIC芯片出发，向前后端拓展了集成式传感器芯片、隔离与接口芯片、驱动与采样芯片，形成了信号感知、系统互联与功率驱动的产品布局。公司在混合信号处理、高耐压数字隔离、集成式传感器设计等领域拥有独立知识产权和丰富技术储备，产品已作为新能源汽车、工业自动化等应用的关键芯片，成功进入多个行业一线客户的供应体系并实现大规模量产。同时公司持续加大各应用场景的产品研发，产品被广泛应用于国内知名品牌客户，涵盖信息通讯、工业控制、汽车电子和消费电子等领域。公司以『“感知”驱动“未来”，构建万物互联的“芯”世界』为使命，在夯实、深掘信号感知、系统互联、功率驱动技术的基础上，积极拓展三个方向的前沿技术能力，致力于成为信号感知芯片、隔离与接口芯片、驱动与采样芯片的行业领导者和国内领先的车规级芯片提供商。

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NSi6602C-DLAR NSi6602C-DLAR 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器

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规格参数

产品名称 :	NSi6602C-DLAR
制造商 :	苏州纳芯微电子股份有限公司
型号:	NSi6602C-DLAR
品牌:	苏州纳芯微电子股份有限公司
封装:	SOIC-16
绝缘电压:	5000 Vrms
电源电压-最大:	5.5 V
电源电压-最小:	2.7 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C

产品介绍

NSi6602C-DLAR

NSi6602C-DLAR 高可靠性隔离式双通道栅极驱动器

NSi6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC，可以设计为驱动高达2MHz开关

频率的功率晶体管。每个输出可以以快速的19ns传播延迟和5ns的最大延迟匹配来提供最大

4A/6A的拉灌电流能力。NSi6602在5*5mm LGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离,

在SOIC16和SOIC14宽封装中提供5000Vrms隔离。100Vμs的最小共模瞬变抗扰度提高系统

鲁棒性。该驱动器的最大电源电压为28V，而输入侧则接受2.7V至5V的电源电压。所有电源

电压引脚均支持欠压锁定保护，适用于高可靠性，功率密度和效率的开关电源系统。

产品特性

• 隔离式双通道驱动器

• 输入侧电源电压: 2.7V至5.5V

• 驱动器侧电源电压：使用UVLO时高达28V

• 峰值4A/6A拉灌电流能力

• 高CMTI: ±100KV/μs

• 19ns典型传播延迟

• 5ns最大延迟匹配

• 6ns最大脉冲宽度失真

• 可编程死区时间

• 接受最小输入脉冲宽度20ns

• 工作温度 -40℃~125℃

• 封装形式

LGA13

SOIC14宽体

SOIC16宽体

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NSi6602C-DLAR

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