产品名称 : | BST82 NXP MOS场效应管 100V 190MA |
制造商 : | Nexperia 安世 |
品牌: | NXP |
封装: | SOT-23-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 190 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 10 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 5 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Pd-功率耗散: | 830 mW |
最小工作温度: | - 65 C |
最大工作温度: | + 150 C |
BST82 NXP MOS场效应管 100V 190MA
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