产品名称 : | CS8591E音频AB类功放7.5V 6.0W |
制造商 : | 智浦欣微 |
品牌: | 智浦欣 |
封装: | ESOP8 |
通道: | 1 |
类: | Class-AB |
输出功率: | 6 W |
电源电压最小: | 3 V |
电源电压最大: | 7.5 V |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 85 C |
CS8591E音频AB类功放7.5V 6.0W
可用于单面PCB设计,6.0W单声道AB类音频功率放大器
概要
CS8591E适用于移动式内置扬声器的便携式音频设备,在7.5电源供电情况下。可以为4Ω的负载提供6.0W的连续功率。CS8591E采用桥接负载结构在提供高品质音频功率放大的同时,大大减少了外部元件数,无需外接输出藕合电容和自举电容。CS8591E内置待机电路,当SD管脚接高电平时,整个电路工作在待机模式,待机电流不超过100nA。CS8591E内置了杂音消除电路,可以消除芯片启动和关断过程中的咔嗒声或噼噗声。还可以通过外接电阻来调节增益。CS8591E内置了过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS8591E提供了纤小的ESOP8封装形式,额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
封装
ESOP8
描述
输出功率
Po at 10% THD+N,VDD=5V
RL=4Ω 3.05W
RL=2Ω 5.00W
Po at 10% THD+N,VDD=6.5V
RL=4Ω 5.30W
Po at 10% THD+N,VDD=7.0V
RL=4Ω 6.00W
备注:供电电源在5V以下 , 单面PCB板最高可驱动2Ω负载
供电电源在7.5V以下,单面PCB板最高可驱动4Ω负载
优异的“噼噗-咔嗒”(POP-noise)杂音抑制能力
优异的低噪抑制功能
工作电压范围:3.0V到7.5V
高电源抑制比(PSRR):在217Hz下为72dB
快速的启动时间(200ms)
低静态电流(5mA)
低关断电流(<0.1uA)
过流保护,短路保护和过热保护
符合Rohs标准的无铅封装
应用
USB音箱/蓝牙音箱
扩音器
应用信息
CS8591E基本结构描述
CS8591E是双端输出的音频功率放大器,内部集成两个运算放大器,第一个放大器的增益可以调整反馈电阻来设置,后一个为电压反相跟随,从而形成增益可以配置的差分输出的放大驱动电路,其原理框图为:
外部电阻配置
如应用图示1,远算放大器的增益由外部电阻Rf,Ri决定,其增益为Av=2xRf/Ri,芯片通过VO1、VO2输出至负载(桥式接法),桥式接法比单端输出有几个优点:其一是,省却外部隔直滤波电容。单端输出时,如不接隔直电容,则在输出端有一直流电压,导致上电后有直流电流输出,这样即浪费了功耗,也容易损坏音响。其二是,双端输出,实际上是推挽输出,在同样输出电压情况下,驱动功率增加为单端的4倍,功率输出大。
芯片功耗
功耗对放大器来讲是一个关键的指标之一,差分输出放大器的自功耗为:
PDMAX=4×(VDD)²/(2×π²×RL)
必须注意,自功耗是输出功率的函数。在进行电路设计时,不能够使得芯片内部的节温高于TJMAX(125℃),根据芯片的热阻来设计,可以通过自己散热铜铂来增加散热性能。如果芯片仍然达不到要求,则需要增大负载电阻、降低电源电压或降低环境温度来解决。
电源旁路
在放大器的应用中,电源的旁路设计很重要,特别是对应用方案的噪声性能及电源电压抑制性能。设计中要求旁路电容尽量靠近芯片、电源脚。典型的电容为10uF的电解电容并上0.1uF的陶瓷电容。在CS8591E应用电路中,另一电容CB(接ypass管脚)也是非常关键,影响PSRR、开关/切换噪声性能。一般选择0.1uF~1uF的陶瓷电容。
关断模式
为了节电,在不使用放大器时,可以关闭放大器,CS8591E有关断控制管脚,可以控制放大器是否工作。该控制管脚的电平必须要接满足接口要求的控制信号,否则芯片可能进入不定状态,而不能够进入关断模式,其自功耗没有降低,达不到节电目的。
外围元件的选择
正确选择外围元器件才能够确保芯片的性能,尽管CS8591E能够有很大的余量保证性能,但为了确保整个性能,也要求正确选择外围元器件。CS8591E单位增益稳定,因此使用的范围广。另外,闭环带宽必须保证,输入隔直电容Ci(形成一阶高通)决定了低频响应性能。在整个应用环节中都推荐使用低ESR电容。一个真正的实际电容可以看做是一个电阻串联一个理想的电容。在电路中电阻两端的电压降影响着电容的性能,等效电阻越低,实际的电容性能越接近理想电容。
选择输入耦合电容
过大的输入电容,增加成本、增加面积,这对于成本、面积紧张的应用来讲,非常不利。显然,确定使用多大的电容来完成耦合很重要。实际上,在很多应用中,扬声器(Speaker)不能够再现低于100Hz-150Hz的低频语音,因此采用大的电容并不能够改善系统的性能。除了考虑系统的性能,开关/切换噪声的抑制性能受电容的影响,如果耦合电容大,则反馈网络的延迟大,导致POP噪声出现,因此,小的耦合电容可以减少该噪声。另外,必须考虑CB电容的大小,选择CB=1uF,Ci=0.1uF~0.39uF,可以满足系统的性能。
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