产品名称 : | CS8118E音频D类放大器5.5V 5.0W |
制造商 : | 智浦欣微 |
品牌: | 智浦欣 |
封装: | ESOP8 |
通道: | 1 |
类: | Class-D |
输出功率: | 5 W |
电源电压最小: | 2.5 V |
电源电压最大: | 5.5 V |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 85 C |
CS8118E音频D类放大器5.5V 5.0W
无破音、超低EMI、5.0W、内置16倍增益单声道D类音频功率放大器
概要
CS8118E是一款高效率、无破音、超低EMI,免滤波、5.0W单声道D类音频放大器。独特的无破音功能可以通过检测输出的破音失真,自动调整系列统增益,不仅有效避免了大功率过载输出对喇叭的损坏,同时带来舒适的听觉感受。
CS8118E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了
CS8118E对RF噪声的抑制能力。无需滤波器的PWM调整结构及增益内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本,并简化了设计。高达90%的效率,快速启动时间和纤小的封装尺寸使得CS8118E成为便携式音频产品的最佳选择。
CS8118E采用独特的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术,能提供优异的全带宽EMI抑制能力,在不加任何辅助设计时,在FCC Part15 CIass B标准下仍然具有超过20dB的裕量,特别适合FM、CMMB、手机模拟电视等易受EMI干扰的应用。
CS8118E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS8118E提供了带散热片的ESOP8封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃.
封装
ESOP8
描述
输出功率
PO at 10% THD+N,VDD=5V
RL=4Ω 3.40W(典型值)
RL=2Ω 5.00W(典型值)
PO at 10% THD+N,VDD=3.6V
RL=4Ω 1.70W(典型值)
RL=2Ω 2.42W(典型值)
独特的无破音(NCN)功能
独创的AERC技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
优异的“噼噗-咔嗒”(POP-noise)杂音抑制能力
工作电压范围:2.5V到5.2V
无需滤波的CIass-D结构
高达90%的效率
高电源抑制比(PSRR):在217Hz下为77dB
内置16倍增益,提供极其优异的产品批次一致性。
快速的启动时间(35ms)
低静态电流(3mA)
低关断电流(<0.1μA)
过流保护,短路保护和过热保护
符合Rohs标准的无铅封装
应用:
USB音箱/便携式音箱
PMP/MP4/MP5播放器
产品特性
CS8118E是一款高效率、无破音、超低EMI、免滤波、5.0W单声道D类音频放大器。在5V电源下,能够向2Ω负载提供5.0W的输出功率,并具有高达90%的效率。
CS8118E采用专有的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术,在音频全带宽范围内极大地降低了EMI的干扰,对60cm的音频线,在FCC的标准下具有超过20dB的裕量
CS8118E无需滤波器的PWM调制结构减少了外部元器件数目,PCB面积和系统成本,并且简化了设计。芯片内置了过流保护,过热保护和欠压保护功能,这些功能保证了芯片在异常的工作条件下关断芯片,有效地保护了芯片不被损坏,当异常条件消除后,CS8118E有自恢复功能可以让芯片重新工作。
效率
输出晶体管的开关工作方式决定了D类放大器的高效率。在D类放大器中,输出晶体管就像是一个电流调整开关,切换过程中消耗的额外功率基本可以忽略不计。输出极相关的功率损耗主要是由MOSFET导通电阻与电源电流产生的I²R。CS8118E系列的效率可达90%。
无需滤波器
CS8118E采用无需滤波器的PWM调制方式,省去了传统D类放大器的LC滤波器,提高了效率,为便携式设备的音频子系统提供了一个更小面积,更低成本的实现方案。
Pop & CIick抑制
CS8118E内置专有的时序控制电路,实现全面的Pop & CIick抑制,可以有效地消除系统在上电,下点,Wake up和Shutdown操作时可能会出现的瞬态噪声。
保护电路
CS8118E在应用的过程中,当芯片发生输出管脚和电源或地短路,或者输出之间的短路故障时,过流保护电路会关断芯片以防止芯片被损坏。短路故障消除后,CS8118E自动恢复工作。当芯片温度过高时,芯片也会被关断。温度下降后,CS8118E可以继续正常工作。当电源电压过低时,芯片也将被关断,电源电压恢复后,芯片会再次启动。
应用信息
去耦电容(Cs)
CS8118E是一款高性能D类音频放大器,电源端需要加适当的电源供电去耦电容来确保其高效率和最佳的总谐波失真。同时为得到良好的高频瞬态性能,希望电容的ESR值要尽量的小,一般选择典型值为1uF的电容旁路到地。去耦电容在布局上应该尽可能的靠近芯片的VDD放置。把去耦电容放在与CS8118E较近的地方对于提高D类放大器的效率非常重要。因为器件和电容间的任何电阻或自感都会导致效率的降低。如果希望更好的滤掉低频噪音,则需要根据具体应用添加一个10uF或者更大的去耦电容。
磁珠和电容
CS8118E在没有磁珠和电容的情况下,对于60cm的音频线,仍可满足FCC标准的要求。在输出音频线过长或器件布局靠近EMI敏感设备时,建议使用磁珠,电容。磁珠和电容要尽量靠近CS8118E放置,如下图所示。
NCN功能
在音频应用中,输入信号过大或者电池电压下降等因素都会导致音频功放的输出信号发生破音失真,而且,过载的信号会对扬声器造成永久性损伤。CS8118E独特的无破音(NCN)功能可以通过检测放大器输出信号的破音失真,自动调整系统增益,使得输出音频信号保持圆润平滑,不仅有效地避免了大功率过载输出对喇叭的损坏,同时带来更舒适的听觉感受。
CS8118E提供两种NCN工作模式可供用户选择:NCN、NCNOFF,可以通过设置CTRL引脚的输入电平来分别进入两种模式。
启动时间(Attack Time):从发生破音失真到系统自动增益调节完成的时间间隔。
释放时间(Release Time):从破音失真消失到系统完全退出增益衰减状态的时间间隔。
NCN模式的启动时间和释放时间如表1所示。
NCN功能的示意图如图7所示。
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
好评度