MEM2301M3G_射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管_RF晶体管_晶体管_分立半导体

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制造商：南京微盟

南京微盟电子有限公司（以下简称“微盟电子”）创建于1999年，是一家专业从事模拟集成电路芯片产品研究、开发及销售的高新技术企业。我们的产品目前已广泛应用于信息家电、无线通信、数字通讯和网络技术等多重领域。微盟电子作为中国电子（CEC）旗下的主要IC设计企业，通过了国家首批“集成电路设计企业”认证，并先后获得省、市级“高新技术企业”认定。值得一提的是，华大半导体有限公司作为我们目前最大的股东方，为企业的发展不断提供优质平台和丰富资源。微盟电子致力于开发电源管理类产品，主要包括LDO系列，DC/DC系列、LED DRIVER、AC/DC系列、锂电管理、电压检测系列、数模混合系列、音频功放IC系列等，并为电子设备的主芯片及相关器件提供优质、稳定的电源解决方案。

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数据手册

MEM2301M3G MEM2301M3G P 沟道 MOSFET MEM2301M3G 系列

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规格参数

产品名称 :	MEM2301M3G
制造商 :	南京微盟
品牌:	南京微盟
封装:	SOT-23-3
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
最大工作温度:	+ 150 C

产品介绍

概述 MEM2301M3G 系列 P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的

工艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2301M3G 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池

的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点

l -20V/-2.8A

l RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A

l RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A

l 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）

l 超小封装：SOT23-3

应用场合

l 电源管理

l 负载开关

l 电池保护

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MEM2301M3G

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