产品名称 : | MEM2303XG |
制造商 : | 南京微盟 |
品牌: | 南京微盟 |
封装: | SOT-23 |
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
最小工作温度: | - 40 C |
最大工作温度: | + 150 C |
概述 MEM2303XG 系列 P 沟道增强型功率场效应管 (MOSFET),采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工
艺特别适用于减小导通电阻。 MEM2303XG 系列适用于低压应用,例如移动电话, 笔记本电脑的电源管理和其他电池的
电源电路。这种低损 耗可采用小尺寸封装。
特点
l -30V/-4.2A
RDS(ON) =55mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A
RDS(ON) =62mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-1A
l 超大密度单元、极小的 RDS(ON))
l 超小封装:SOT23
应用场合
l 电源管理
l 负载开关
l 电池保护
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
好评度