产品名称 : | MEM2306SG |
制造商 : | 南京微盟 |
品牌: | 南京微盟 |
封装: | SOP-8 |
Vds-漏源极击穿电压: | 20 V |
最大工作温度: | + 150 C |
概述 MEM2306SG 系列 双 N 沟道增强型功率场效应管 (MOSFET),采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这 种高密度的工艺
特别适用于减小导通电阻。 MEM2306SG 系列适用于低压应用,例如移动电话, 笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点
l 20V/5A
RDS(ON) =29mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
l 超大密度单元、极小的 RDS(ON))
l 贴片封装:SOP8
应用场合
l 笔记本电池管理
l 便携式设备
l 电池电源系统
l DC/DC 转换
l 负载开关
l LCD 显示适配器
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
好评度