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BSC010NE2LS Infineon MOS场效应管 25V 100A

BSC010NE2LS Infineon MOS场效应管 25V 100A

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规格参数

产品名称 : BSC010NE2LS Infineon MOS场效应管 25V 100A
制造商 : Infineon
品牌: Infineon
封装: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
Pd-功率耗散: 96 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C

产品介绍

BSC010NE2LS Infineon MOS场效应管 25V 100A








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