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IPA80R1K4CE Infineon MOS场效应管 800V 3.9A

IPA80R1K4CE Infineon MOS场效应管 800V 3.9A

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规格参数

产品名称 : IPA80R1K4CE Infineon MOS场效应管 800V 3.9A
制造商 : Infineon
品牌: Infineon
封装: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 3.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.22 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
Pd-功率耗散: 31 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C

产品介绍

IPA80R1K4CE Infineon MOS场效应管 800V 3.9A






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