产品名称 : | IPA65R190C6 Infineon MOS场效应管 650V 20.2A |
制造商 : | Infineon |
品牌: | Infineon |
封装: | TO-220FP-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
Id-连续漏极电流: | 20.2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 190 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Qg-栅极电荷: | 73 nC |
Pd-功率耗散: | 34 W |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
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