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IRFB4227PBF Infineon MOS场效应管 200V 65A

IRFB4227PBF Infineon MOS场效应管 200V 65A

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规格参数

产品名称 : IRFB4227PBF Infineon MOS场效应管 200V 65A
制造商 : Infineon
品牌: Infineon
封装: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
Pd-功率耗散: 330 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C

产品介绍

IRFB4227PBF Infineon MOS场效应管 200V 65A
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